足球免费推介(www.zq68.vip):中国首款新型3d铁电存储器vfram即将问世

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,2021-07-08 10:24 朱朱侃娱乐

中国一半导体科技研究团队(拍字节)解决了传统铁电质料高污染的问题,研发出一款接纳新型铁电质料、实现创新性3D架构的新型3D铁电存储器(VFRAM),未来可实现比现在增添1000倍以上的信息储存容量。需要注重的是,这是中国第一款铁电存储器,更是天下第一款商用新型铁电存储器。

据悉,该团队焦点职员均来自天下顶级半导体公司,平均15年以上履历,他们曾于海内外配合乐成互助过多个项目。这款7月中旬正式开售的新型3D铁电存储器,从研发、生产到销售各个环节都由这些业界顶级专家认真。

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拍字节(PBT)研究团队示意:“传统铁电质料高污染的缺陷严重制约了铁电存储器产量的提升,我们新开发的新型铁电质料解决了高污染的问题,能在任何芯片代工厂生产,突破了产能限制。同时,创新性的3D架构大幅度提升了存储密度,这相当于将3万部高清晰度(HD)影戏的500太字节储存到指甲巨细质料的水平。极大地开拓了产物的应用领域,向入口量伟大的NOR闪存和DRAM市场渗透。”

研究团队将眼光聚焦在了可以取代现有DRAM、EEPROM或Flash的新一代候选“新型3D铁电存储器(VFRAM)”。VFRAM不会像FLASH或EEPROM那样需要很长的数据写入时间,而且它不需要守候时间,不需要电池就可以保持数据。纵然关掉电源,信息仍然保留完好,纪录和祛除信息的速率比闪存快1000倍。与此同时,VFRAM作为耗电最低的存储器,功耗仅为闪存的1/1000,其耐久性可达万亿次读写,为闪存的上亿倍!

一直以来,传统FRAM产物仅应用在车载(小存储容量)、智能仪表和打印耗材等领域。只管VFRAM优于传统FRAM产物,可用于传统FRAM市场、5G基站、车载、手机和边缘盘算等领域,但VFRAM的不足是,现在在量产的VFRAM产物容量较小(128KB),产物的应用领域因此受到限制。以是,VFRAM的商用化或较Flash内存慢。

针对这一现状,拍字节(PBT)研究团队正致力于大容量VFRAM的产物研究,设计阶段性将小容量VFRAM提升至8Gb,扩大产物应用领域及市场笼罩局限,信托在不久的未来,VFRAM定能成为应用市场上一颗闪灼的新星!

结语

虽然VFRAM短期内不太可能取代现有的存储器,但在这些手艺研发上,拍字节研发团队再不会错过时机,未来他们将进一步介入到新一代存储器竞争行列中,阻止外洋厂商的周全垄断。

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     发布于 2021-08-28 00:04:43  回复
  • 直到 2017 年,苹果推出了新一代 iPhone,除了玻璃后盖外和 iPhone 7 别无二致,就是这么一款不能再「7S」的 iPhone,却直接被命名为 iPhone 8。同时苹果还做出了一个「违反祖宗」的决议,为了纪念 iPhone 降生 10 周年从而跳过数字 9,直接用罗马数字中的 10「X」将新 iPhone 命名为 iPhone X,这在十年里照样头一遭。厥后 iPhone 在「S」之外又拓展了许多后缀,好比 mini、Pro、Max 什么的。很耐人寻味

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